По уровню технологии «Ангстрем-Т» станет самым современным заводом в России. Это будет не отдельное производство внутри модернизированного корпуса, не отдельный цех, а полноценный завод с соответствующей инфраструктурой: новый производственный корпус с общей площадью чистых комнат 6000 кв. м (размер футбольного поля — 6500 кв. м), корпус подготовки и утилизации материалов и энергоносителей, газовая станция, собственная электростанция. Переход на новый технологический уровень требует совершенно иного подхода в инженерной инфраструктуре и организации производства при полной автоматизации процессов труда и управления. Программное обеспечение будет полностью контролировать все производственные процессы на всех этапах. Новый завод «Ангстрем-Т» сможет выпускать широкий спектр высоко конкурентной продукции — микросхемы для мультимедийных и телекоммуникационных устройств, навигационной системы «ГЛОНАСС», электронных паспортно-визовых документов и т.д., а также оказывать услуги по выпуску продукции коммерческим заказчикам.

Новый промышленный корпус ОАО «Ангстрем-Т» для организации современного полупроводникового производства по топологии 45-130 нм был построен совместно с немецкой фирмой Meissner&Wurst Zander. По техническим возможностям, в России не существует корпуса, равного возведенному на «Ангстрему-Т». Уникальность производственного здания в том, что его 20-метровые сваи доходят до базальтовых пород, а значительная часть пола производственного помещения, отсоединенная от остальной части основного здания, обеспечивает снижение возможных вибраций до нуля. Все эти технологические особенности здания позволяют реализовать самое сложное современное полупроводниковое производство.

Основная цель компании - реализация инвестиционного проекта по созданию производства субмикронных полупроводниковых изделий по технологическим нормам 130 - 90 нм с медной разводкой, с перспективой развития и перехода на уровень 65 нм. В настоящее время ОАО "Ангстрем-Т" создает научно-производственный комплекс, включающий:

- Технологический корпус с чистыми производственными помещениями класса чистоты 1000, оснащенный всей необходимой инженерной инфраструктурой и обеспечивающий дальнейшее развитие технологий;

- Комплекс инженерного, технологического, контрольно-измерительного и аналитического оборудования, обеспечивающего реализацию топологических размеров менее 90нм;

- Дизайн - центр, обеспечивающий создание всей необходимой для проектирования дизайн-инфраструктуры и разработки собственных продуктов, ориентированных на технологические процессы производства;

- Производственную линейку по измерению выпущенных пластин и сборке кристаллов в корпус;

- Автономный центр энергоснабжения на базе тригенерационной газопоршневой электростанции проектной мощностью 36 МВт.

Комплекс позволяет проводить модернизацию технологий до уровня 45 нм без существенной перестройки инженерной инфраструктуры.

«В полном соответствии с планом строительства, к концу 2013 года мы завершим строительные и отделочные работы. — прокомментировал ход строительства Антон Алексеев, генеральный директор ОАО «Ангстрем-Т». — Уже начаты работы по монтажу уникальной автономной электростанции, которая будет полностью обеспечивать предприятие высококачественной электроэнергией, теплом и холодом. Весной следующего года на смонтированном оборудовании начнется этап переноса технологии AMD (130нм) и IBM (90нм)"