MAX
Подпишись
стань автором. присоединяйся к сообществу!
Есть метка на карте 16 мая 25
107

Российские ученые разработали транзисторы на основе двухслойного графена

Российские ученые вместе с коллегами из Японии разработали транзисторы на основе двухслойного графена и показали, что те обладают рекордно низким энергопотреблением. Тактовая частота процессоров на основе таких транзисторов может увеличиться на два порядка, сообщает пресс-служба МФТИ.

Создание транзисторов, способных переключаться при малых напряжениях (менее 0,5 вольт), является одной из главных задач современной электроники. Наиболее перспективными кандидатами для ее решения часто считают туннельные транзисторы, но в большинстве полупроводников туннельный ток так мал, что не позволяет использовать транзисторы на их основе в реальных схемах. Авторы исследования показали, что эти ограничения можно обойти в новых туннельных транзисторах на основе двухслойного графена.

«При оптимальных условиях графеновый транзистор может менять силу тока в цепи в 35 тысяч раз при колебании напряжения на затворе всего в 150 милливольт», — говорится в пресс-релизе. «Такое маленькое рабочее напряжение означает не только то, что мы можем сэкономить электричество — электроэнергии у нас хватает, — приводятся в пресс-релизе слова ведущего автора исследования, заведующего лабораторией оптоэлектроники двумерных материалов МФТИ Дмитрия Свинцова. — При меньшем энергопотреблении электронные компоненты меньше нагреваются, а, значит, могут работать с более высокой тактовой частотой — не 1 ГГц, а, например, 10 или даже 100».

[читать статью полностью...]

Кстати, а вы знали, что на «Сделано у нас» статьи публикуют посетители, такие же как и вы? И никакой премодерации, согласований и разрешений! Любой может добавить новость. А лучшие попадут в наш Телеграм @sdelanounas_ru. Подробнее о том как работает наш сайт здесь👈

Источник: tass.ru

Комментарии 0

Для комментирования необходимо войти на сайт

  • 0
    Нет аватара guest17.05.16 13:55:25

    Че за чушь?

    Тактовая частота зависит и в первую, и во вторую очередь не от энергопотребления, а от скорости движения носителя заряда и ширины структуры… сколько не понижай электропотребление в кремнии (к примеру) — все равно упрешься в тот факт, носитель заряда не способен пролететь через структуру (которая не может быть тоньше определенного количества атомов) на предельной скорости, быстрее чем это возможно теоретически…

    Вот боюсь — чушь сейчас сказали Вы.

    Ни причем тут скорость распространения — это просто лэтенси.

    Максимальная тактовая частота определяется временами предустановки и удержания логических элементов. Суть этих временных параметров — зарядка внутренней емкости. Скорость зарядки определяется собственно емкость и силой драйвера, который ее заряжет и определяется соотношением — I=CdU/dt. Соответственно чем быстрее Вы хотите драйвером щелкать — тем больше тока он должен уметь отдавать. Чем больше тока он отдает — тем сильнее греется.

    Энергопотребление напрямую зависит — правда не от частоты, а от фронтов сигналов. Но в контексте внутренностей чипа — можно говорить и о частоте. Фронт — это то самое dU/dt. Чем он круче — тем быстрее — тем больше тока — тем больше потребление.

    Да — задержка вносит свой вклад — так как он по сути суммируется с временами предустановки и удержания — но она достаточно мала по сравнению с ними. Не пренебрежительно мала, но достаточно чтобы на данный момент не считать её узким горлом.

    Низковольтовые схемы нужны — опять же из-за dU/dt — чем меньше dU — тем меньше dt Вы можете сделать при том же токе — то есть работать быстрее, а жрать столько же.

    (там скорости порядка нескольких тысяч м/с)…

    Скорость распространения поля определяется диэлектрической проницаемостью среды по формуле v=c/sqrt(e). Где c- это скорость света. Я не знаю что внутри чипа — но например в печатной плате e=4. То есть скорость распространения в 2 раза меньше скорости света и равна примерно 15см/нс или 1.5*10^8 м/с.

    В чипах поле распространяется намного быстрее.

    Основная проблема действительно — нагрев. Современные процессоры потребляют порядка 150Вт, что при напряжении ядра 0.9 В дает ток порядка 150А. Для сравнения — автоматы у Вас в квартире стоят на 16А.

    высокочастотный транзистор просто МЕНЬШЕ

    Емкость у него меньше. А геометрический размер значения не имеет — хотя на деле конечно меньше размер -> меньше емкость. И сам по себе он ничего не потребляет — нагрев происходит из двух (на самом деле больше — но это две основные) вещей

    1. Внутреннее сопротивление постоянному току — Rds

    2. Емкость затвора — которая определяет каким током он открывается на требуемой скорости.

    Например в цепях питания когда требуется плавное его нарастание — ток затвора специально ограничивают, что транзистор открывался медленнее.

    Отредактировано: Антон Смоленский~16:41 17.05.16