11 июля
GaN-транзисторы АО «НИИЭТ» успешно прошли испытания
GaN-транзисторы ТНГ-К 65020П, разработанные АО «НИИЭТ» (входит в ГК «Элемент»), подтвердили свою эффективность в силовой преобразовательной технике. Испытания, проведенные компанией «Инженерные решения» и Новосибирским государственным техническим университетом, показали, что изделия могут использоваться в источниках питания с высокой удельной мощностью и частотой до 10 МГц.
Кстати, а вы знали, что на «Сделано у нас» статьи публикуют посетители, такие же как и вы? И никакой премодерации, согласований и разрешений! Любой может добавить новость. А лучшие попадут в наш Телеграм @sdelanounas_ru. Подробнее о том как работает наш сайт здесь👈
Источник: niiet.ru
Комментарии 2