Высококачественный графен на SiC для электронных приборов нового поколения
Лебедев,АА; Давыдов,ВЮ; Лебедев,СП; Смирнов,АН; Дунаевский,МС; Елисеев,ИА лаб. физики полупроводниковых приборов (Лебедева,АА) лаб. спектроскопии твердого тела (Феофилова,СП) лаб. оптики поверхности (Берковица,ВЛ)
Создана не имеющая аналогов в России технология роста эпитаксиального монослойного графена большой площади методом сублимации в аргоне Si-грани SiC. Структурные, электронные и транспортные свойства выращенного графена сравнимы с параметрами лучших мировых образцов, изготовленных сублимацией, что открывает возможность его использования для создания электронных приборов нового поколения. На основе системы графен/SiC изготовлен прототип твердотельного газового сенсора с рекордной чувствительностью к концентрации молекул NO2: не хуже 2 ppb (частиц на миллиард). Такая чувствительность сенсора достаточна для мониторинга окружающей среды. Тестирование прототипов биосенсоров, созданных на основе системы графен/SiC, указывает также на перспективность их использования в медицине и биологии.
Кстати, а вы знали, что на «Сделано у нас» статьи публикуют посетители, такие же как и вы? И никакой премодерации, согласований и разрешений! Любой может добавить новость. А лучшие попадут в наш Телеграм @sdelanounas_ru. Подробнее о том как работает наш сайт здесь👈
Другие публикации по теме
- Космическая обсерватория «Спектр-РГ» предоставила данные для фу...ю очередь новейшим (запущенным в 2019 году) «Спектром-РГ».
- Новый рентгеновский источник в космосе был обнаружен российским телеск...и Swift/XRT также внесли свой вклад в исследование этого объекта.
- Переключатель между пространственными каналами на чипе квантового проц...чая мощность — -80 дБм. Об этом сообщила пресс-служба вуза.
Поделись позитивом в своих соцсетях
Комментарии 0